КАТЕГОРИЯ 13. ЭЛЕКТРОНИКА		
13.1.	Системы, оборудование и компоненты		
13.1.1.	Радиоэлектронные системы и оборудование, специально разработанные для защиты информации от негласного доступа		
13.1.2.	Генераторы (синтезаторы) сигналов, в том числе программируемые, работающие в диапазоне частот от 1215 МГц до 1615 МГц	8543 20 000 0	
13.2.	Испытательное, контрольное и производственное оборудование - нет		
13.3.	Материалы  - нет		
13.4.	Программное обеспечение		
13.4.1.	Программное обеспечение для разработки и производства электрических и механических элементов антенн, а также для анализа тепловых деформаций конструкций антенн		
13.4.2.	Программное обеспечение для разработки, производства или применения космических элементов спутниковой системы связи и их элементов, таких, как:		
13.4.2.1.	Развертываемых антенн, а также механизмов их развертывания, включая контроль поверхности антенн при их изготовлении и динамический контроль развернутых антенн;		
13.4.2.2.	Антенных решеток с фиксированной апертурой, включая контроль их поверхности при производстве;		
13.4.2.3.	Антенных решеток, состоящих из линейки рупорных излучателей, формирующих диаграмму направленности путем изменения фазы сигнала и установки нуля диаграммы направленности на источник помех;		
13.4.2.4.	Микрополосковых фазированных антенных решеток, включая компоненты для формирования нуля диаграммы в направлении на источник помех;		
13.4.2.5.	Трактов передачи энергии от передатчика к антенне, обеспечивающих хорошее их согласование;		
13.4.2.6.	Антенн и компонентов на основе композиционных материалов для достижения требуемых характеристик прочности и жесткости при минимальном весе, стабильности длительной их работы в широком диапазоне температур 		
13.4.3.	Программное обеспечение для разработки, производства или применения полосовых фильтров с полосой пропускания менее 0,1 % или более 10 % среднего значения частоты		
13.4.4.	Программное обеспечение для разработки или производства аппаратуры, указанной в пунктах 13.5.5.1 - 13.5.5.5		
13.4.5.	Программное обеспечение, специально разработанное для использования в системах и оборудовании, указанных в пункте 13.1.1		
13.4.6.	Программное обеспечение для разработки или производства элементов электровакуумных 
СВЧ-приборов, указанных в пунктах 13.5.3.4.1 - 13.5.3.4.3		
13.4.7.	Программное обеспечение, предназначенное для использования в генераторах (синтезаторах) сигналов, указанных в пункте 13.1.2		
13.5.	Технология		
13.5.1.	Технологии, связанные с разработкой, производством или применением вакуумной электроники, акустоэлектроники и сегнетоэлектрики:		
13.5.1.1.	Технологии разработки, производства или применения оборудования с цифровым управлением, позволяющего осуществлять автоматическую ориентацию рентгеновского луча и коррекцию углового положения кварцевых кристаллов с компенсацией механических напряжений, вращающихся по двум осям при величине погрешности 10 угловых секунд или менее, которая поддерживается одновременно для двух осей вращения;		
13.5.1.2.	Технологии разработки, производства или применения оборудования для равномерного покрытия поверхности мембран, электродов и волоконно-оптических элементов монослоями биополимеров или биополимерных композиций		
13.5.2.	Технологии разработки, производства или применения криогенной техники:		
13.5.2.1.	Технологии разработки, производства или применения низкотемпературных контейнеров, криогенных трубопроводов или низкотемпературных рефрижераторных систем закрытого типа, разработанных для получения и поддержания регулируемых температур ниже 100 К и пригодных для использования на подвижных наземных, морских, воздушных и космических платформах		
13.5.3.	Технологии разработки, производства или применения источников микроволнового излучения (в том числе СВЧ-излучения) средней мощностью более 3 МВт с энергией в импульсе более 10 кДж:		
13.5.3.1.	Технологии разработки, производства или применения мощных переключателей, таких, как водородные тиратроны и их компонентов, в том числе устройств получения длительных (до 30 с) импульсов;		
13.5.3.2.	Технологии разработки, производства или применения волноводов и их компонентов, в том числе:		
13.5.3.2.1.	Массового производства одно- и двухгребневых волноводов и высокоточных волноводных компонентов;		
13.5.3.2.2.	Механических конструкций вращающихся сочленений;		
13.5.3.2.3.	Устройств охлаждения ферромагнитных компонентов;		
13.5.3.2.4.	Прецизионных волноводов миллиметровых волн и их компонентов;		
13.5.3.2.5.	Ферритовых деталей для использования в ферромагнитных компонентах волноводов;		
13.5.3.2.6.	Ферромагнитных и механических деталей для сборки ферромагнитных узлов волноводов;		
13.5.3.2.7.	Материалов типа "диэлектрик-феррит" для управления фазой сигнала и уменьшения размеров антенны;		
13.5.3.3.	Технологии разработки, производства или применения СВЧ- и ВЧ-антенн, специально предназначенных для ускорения ионов		
13.5.3.4.	Технологии разработки или производства следующих элементов электровакуумных СВЧ-приборов:		
13.5.3.4.1.	Безнакальных и вторично-эмиссионных эмиттеров;		
13.5.3.4.2.	Высокоэффективных эмиттеров с плотностью тока катода более 10 А/кв.см;		
13.5.3.4.3.	Электронно-оптических и электродинамических систем для многорежимных ламп бегущей волны (ЛБВ), многолучевых приборов и гиротронов		
13.5.4.	Технологии, связанные с исследованием проблем распространения радиоволн в интересах создания перспективных систем связи и управления:		
13.5.4.1.	Технологии разработки, производства или применения средств КВ-радиосвязи:		
13.5.4.1.1.	Технологии разработки, производства или применения автоматически управляемых 
КВ-радиосистем, в которых обеспечивается управление качеством работы каналов связи;		
13.5.4.1.2.	Технологии разработки, производства или применения устройств настройки антенн, позволяющих настраиваться на любую частоту в диапазоне от 1,5 МГц до 88 МГц, которые преобразуют начальный импеданс антенны с коэффициентом стоячей волны от 3 - 1 или более до 3 - 1 или менее, и обеспечивающих настройку при работе в любом из следующих режимов:		
	а) в режиме приема за время 200 мс или менее; 		
	б) в режиме передачи за время 200 мс или менее при уровнях мощности менее 100 Вт и за 1 с или менее при уровнях более 100 Вт;		
13.5.4.2.	Технологии разработки, производства или применения широкополосных передающих антенн, имеющих коэффициент перекрытия частотного диапазона в пределах 10 и более и коэффициент стоячей волны не более 4;		
13.5.4.3.	Технологии разработки, производства или применения станций радиорелейной связи, использующих эффект тропосферного рассеяния, и их компонентов, таких, как:		
13.5.4.3.1.	Усилителей мощности для работы в диапазоне частот от 300 МГц до 8 ГГц, использующих жидкостно- и пароохлаждаемые электронные лампы мощностью более 10 кВт или лампы с воздушным охлаждением мощностью 2 кВт или более и коэффициентом усиления более 20 дБ, включая усилители, объединенные со своими источниками электропитания;		
13.5.4.3.2.	Приемников с уровнем шумов менее 3 дБ;		
13.5.4.3.3.	Специальных микроволновых гибридных интегральных схем;		
13.5.4.3.4.	Фазированных антенных решеток, включая их распределенные компоненты для формирования луча;		
13.5.4.3.5.	Адаптивных антенн, способных к установке нуля диаграммы направленности в направлении на источник помех;		
13.5.4.3.6.	Средств радиорелейной связи для передачи цифровой информации со скоростью более 2,1 Мбит/с и более 1 бит/цикл;		
13.5.4.3.7.	Средств радиорелейной многоканальной (более 120 каналов) связи с разделением каналов по частоте;		
13.5.4.4.	Технологии разработки, производства или применения космических спутниковых систем связи и их элементов, таких, как:		
13.5.4.4.1.	Развертываемых антенн, а также механизмов их развертывания, включая контроль поверхности антенн при их изготовлении и динамический контроль развернутых антенн;		
13.5.4.4.2	Антенных решеток с фиксированной апертурой, включая контроль их поверхности при производстве;		
13.5.4.4.3.	Антенных решеток, состоящих из линейки рупорных излучателей, формирующих диаграмму направленности путем изменения фазы сигнала и установки нуля диаграммы направленности на источник помех;		
13.5.4.4.4.	Микрополосковых фазированных антенных решеток, включая компоненты для формирования нуля диаграммы в направлении на источник помех;		
13.5.4.4.5.	Трактов передачи энергии от передатчика к антенне, обеспечивающих хорошее их согласование;		
13.5.4.4.6.	Антенн и компонентов на основе композиционных материалов для достижения требуемых характеристик прочности и жесткости при минимальном весе, стабильности длительной их работы в широком диапазоне температур, включая технологии для стабилизации параметров в процессе изготовления компонентов из эпоксидных смол с графитовым наполнением;		
13.5.4.5.	Технологии разработки или производства усилителей мощности, предназначенных для применения в космосе и имеющих одно из следующих устройств и       особенностей:		
	а) приборы с теплообменными устройствами, содержащими схемы теплопередачи от элемента к поглотителю тепла мощностью более 25 Вт с площади 900 кв.см;		
	б) блоки, работающие на частотах 18 ГГц или обеспечивающие следующие мощности: 10 Вт на частоте 0,5 ГГц, или 5 Вт на частоте 2 ГГц, или 1 Вт на частоте 11 ГГц;		
	в) высоковольтные источники питания, имеющие соотношение мощность/масса и мощность/габариты более 1 Вт/кг и 1 Вт на 320 кв.см		
13.5.5.	Технологии, связанные с разработкой методов и способов радиоэлектронной разведки и подавления:		
13.5.5.1.	Технологии разработки, производства или применения средств радиоэлектронной разведки и подавления, таких, как:		
13.5.5.1.1.	Систем разведки и подавления, управляемых оператором или работающих автоматизировано и разработанных для перехвата и анализа сигналов, подавления и нарушения нормальной работы систем связи всех типов или навигации;		
13.5.5.1.2.	Приемников, работающих с сигналами, имеющими коэффициент сжатия, превышающий 100;		
13.5.5.2.	Технологии разработки, производства или применения приемников, использующих дисперсионные фильтры и конвольверы с уровнем побочных сигналов на 20 дБ ниже основного сигнала;		
13.5.5.3.	Технологии разработки, производства или применения приемопередающих устройств, предназначенных для обнаружения, перехвата, анализа, подавления сигналов, в том числе с модуляцией распределенным спектром;		
13.5.5.4.	Технологии разработки, производства или применения устройств автоматической настройки антенны, обеспечивающих ее перестройку со скоростью не менее 30 МГц/с;		
13.5.5.5.	Технологии разработки, производства или применения средств автоматического определения направления, способных считывать пеленги со скоростями не менее одного пеленга в секунду;		
13.5.5.6.	Технологии разработки, производства или применения генераторов (синтезаторов) сигналов, в том числе программируемых, с характеристиками, указанными в пункте 13.1.2		
13.5.6.	Технологии разработки, изготовления или применения запоминающих устройств (ЗУ) на тонких пленках, такие, как:		
13.5.6.1.	Технологии разработки, производства или применения ЗУ на центральных магнитных доменах (ЦМД);		
13.5.6.2.	Технологии разработки, производства или применения материалов и оборудования для изготовления ЗУ на ЦМД;		
13.5.6.3.	Технологии выращивания и обработки материалов для изготовления подложек ЗУ на магнитных доменах, например, из материала на основе галлий-гадолиниевого граната;		
13.5.6.4.	Технологии эпитаксиального выращивания пленок для ЗУ на ЦМД;		
13.5.6.5.	Технологии осаждения пермаллоя и диэлектрика и создания рисунка с пространственным разрешением лучше 10 мкм, включая металлизацию напылением или испарением и ионное фрезерование;		
13.5.6.6.	Технологии компоновки и сборки ЗУ на ЦМД;		
13.5.6.7.	Технологии разработки ионных имплантантов и ЗУ с соприкасающимися дисками и методы создания рисунка		
13.5.7.	Технологии разработки, производства или применения ЗУ на проволоке с гальваническим покрытием:		
13.5.7.1.	Технологии разработки или производства ЗУ на проволоке с гальваническим покрытием, включая:		
	а) подготовку бериллиево-медной подложки для обеспечения чистой и однородной поверхности;		
	б) покрытие медью для обеспечения требуемых плотности и шероховатости проволоки;		
	в) конструирование устройств для нанесения покрытий требуемых составов, однородности и толщины пермаллойного (никелево-железного) магнитного материала на проволочные подложки;		
	г) автоматизированные испытания в ходе нанесения покрытия на проволоку и проверка после окончания процесса с тем, чтобы гарантировать нужные параметры;		
13.5.7.2.	Технологии разработки или производства запоминающих устройств на проволоке, таких, как:		
13.5.7.2.1.	Магнитных экранов для запоминающих устройств, в том числе пермаллойного слоя;		
13.5.7.2.2.	Туннельных структур для плотного и дешевого размещения элементов ЗУ на проволоке с гальваническим покрытием;		
13.5.7.2.3.	Ферритовых слоев для формирования линий магнитного потока и увеличения плотности упаковки вдоль проволоки с нанесенным покрытием		
13.5.8.	Технологии разработки, производства или применения специальных технических средств, разработанных для негласного получения информации, таких, как:		
13.5.8.1.	Для негласного получения и регистрации акустической информации;		
13.5.8.2.	Для негласного визуального наблюдения и документирования;		
13.5.8.3.	Для негласного прослушивания телефонных переговоров;		
13.5.8.4.	Для негласного перехвата и регистрации информации с технических каналов связи;		
13.5.8.5.	Для негласного контроля почтовых сообщений и отправлений;		
13.5.8.6.	Для негласного исследования предметов и документов;		
13.5.8.7.	Для негласного проникновения и обследования помещений, транспортных средств и других объектов;		
13.5.8.8.	Для негласного контроля за перемещением транспортных средств и других объектов;		
13.5.8.9.	Для негласного получения (изменения, уничтожения) информации с технических средств ее хранения, обработки и передачи;		
13.5.8.10.	Для негласной идентификации личности		
13.5.9.	Технологии разработки, производства или применения технических средств для выявления электронных устройств, предназначенных для негласного получения информации