№ пункта	
Наименование
	
Код ТН ВЭД	
	КАТЕГОРИЯ 2. ОБРАБОТКА МАТЕРИАЛОВ		
2.1.	Системы, оборудование и компоненты		
2.1.1.	Подшипники или подшипниковые системы и их составные части:		
2.1.1.1.	Шариковые подшипники и неразъемные роликовые подшипники, имеющие все допуски, указанные производителем, в соответствии с классом точности 4 или выше (лучше) по международному стандарту ISO 492 или его национальному эквиваленту, в которых как кольца, так и тела качения (ISO 5593) изготовлены из медно-никелевого сплава или бериллия	8482 10 100 0;
8482 10 900;
8482 30 000 0;
8482 40 000 0;
8482 50 000 0	
	Примечание.
По пункту 2.1.1.1 не контролируются конические роликовые подшипники;		
2.1.1.2.	Другие шариковые и неразъемные роликовые подшипники, имеющие все допуски, указанные производителем, в соответствии с классом точности 2 или выше (лучше) по международному стандарту ISO 492 или его национальному эквиваленту	8482 80 000 0	
	Примечание.
По пункту 2.1.1.2 не контролируются конические роликовые подшипники;		
2.1.1.3.	Активные магнитные подшипниковые системы, характеризующиеся хотя бы одним из нижеперечисленных качеств:
а) выполнены из материала с  магнитной индукцией 2 Т или более и пределом текучести выше 414 MПа;	8483 30 100 0;
8483 30 900 0	
	б) являются полностью электромагнитными с трехмерным униполярным подмагничиванием привода; или		
	в) имеют высокотемпературные, с температурой 450 К (1770 С) и выше, позиционные датчики		
	Примечание.
По пункту 2.1.1 не контролируются шарики с допусками, указанными производителем, в соответствии с международным стандартом ISO 3290, по степени точности 5 или ниже (хуже)		
2.2.	Испытательное, контрольное и производственное оборудование		
	Технические примечания:		
	1. Вторичные параллельные оси для контурной обработки (например,     W-ось на горизонтально-расточных станках или вторичная ось вращения, центральная линия которой параллельна первичной оси вращения) не засчитываются в общее 		
	количество осей. Ось вращения необязательно означает вращение на угол, больший 3600. Вращение может задаваться устройством линейного перемещения (например, винтом или зубчатой рейкой)		
	2. Для целей пункта 2.2 количество осей, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления, является количеством осей, по которым или вокруг которых в процессе обработки заготовки осуществляются одновременные и взаимосвязанные движения между обрабатываемой деталью и инструментом. Это не включает любые дополнительные оси, по которым или вокруг которых осуществляются другие относительные движения в станке. Такие оси включают:
а) оси систем правки шлифовальных кругов в шлифовальных станках;
б) параллельные оси вращения, предназначенные для установки отдельных обрабатываемых деталей;
в) коллинеарные оси вращения, предназначенные для манипулирования одной обрабатываемой деталью путем закрепления ее в патроне с разных концов		
	3. Номенклатура осей определяется в соответствии с международным стандартом ISO 841 "Станки с числовым программным управлением. Номенклатура осей и видов движения"		
	4. Для целей настоящей категории качающийся шпиндель рассматривается как ось вращения		
	5. Для всех станков одной модели может использоваться значение заявленной точности позиционирования, не полученное в результате испытаний отдельного станка, а найденное в результате измерений, проведенных в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом.		
	Заявленная точность позиционирования означает величину точности, представленную поставщиком (производителем) в качестве показателя точности станков определенной модели.
Определение показателя точности:
а) выбирается пять станков модели, подлежащей оценке;
б) измеряется точность линейных осей в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997);		
	в) определяются величины показателей А для каждой оси каждого станка. Метод определения величины показателя А описан в стандарте ISO;
г) определяется среднее значение показателя А для каждой оси. Эта средняя величина Ā становится заявленной величиной (Āх, Āy ...) для всех станков данной модели;
д) поскольку станки, указанные в категории 2 настоящего Списка, имеют несколько линейных осей, количество заявленных величин показателя точности равно количеству линейных осей;
е) если любая из осей определенной    модели станка, не контролируемого по пунктам 2.2.1.1 - 2.2.1.3, характеризуется показателем Ā, для шлифовальных станков равным 5 мкм или менее (лучше), для фрезерных и токарных станков - 6,5 мкм или менее (лучше), то производитель обязан каждые 18 месяцев заново подтверждать величину точности		
2.2.1.	Станки, указанные ниже, и любые их сочетания для обработки или резки металлов, керамики и композиционных материалов, которые в соответствии с техническими спецификациями изготовителя могут быть оснащены электронными устройствами для числового программного управления, а также специально разработанные для них компоненты:		
	Примечания:
1. По пункту 2.2.1 не контролируются станки специального назначения, ограниченные изготовлением зубчатых колес. Для таких станков см. пункт 2.2.3
2. По пункту 2.2.1 не контролируются станки специального назначения, ограниченные изготовлением любых из следующих деталей:
а) коленчатых или распределительных валов;
б) режущих инструментов;
в) червяков экструдеров;
г) гравированных или ограненных частей ювелирных изделий
3. Станок, имеющий по крайней мере две возможности из трех: токарной обработки, фрезерования или шлифования (например, токарный станок с возможностью фрезерования), должен быть оценен по каждому соответствующему пункту 2.2.1.1, 2.2.1.2 или 2.2.1.3		
2.2.1.1.	Токарные станки, имеющие все следующие характеристики:
а) точность позиционирования вдоль любой линейной оси со всеми доступными компенсациями, равную 4,5 мкм или менее (лучше) в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом; и	8458;
8464 90 800 0;
8465 99 100 0	
	б) две или более оси, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления		
	Примечание.
По пункту 2.2.1.1 не контролируются токарные станки, специально разработанные для производства контактных линз;		
2.2.1.2.	Фрезерные станки, имеющие любую из следующих характеристик:
а) имеющие все следующие характеристики:
точность позиционирования вдоль любой линейной оси со всеми доступными компенсациями, равную 4,5 мкм или менее (лучше) в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом; и
три линейные оси плюс одну ось вращения, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления;	8459 31 000 0;
8459 51 000 0;
8459 61;
8464 90 800 0;
8465 92 000 0	
	б) пять или более осей, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления;		
	в) для координатно-расточных станков точность позиционирования вдоль любой линейной оси со всеми доступными компенсациями, равную 3 мкм или менее (лучше) в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом; или
г) станки с летучей фрезой, имеющие все следующие характеристики:
биение шпинделя и эксцентриситет менее (лучше) 0,0004 мм полного показания индикатора (ППИ); и
повороты суппорта относительно трех ортогональных осей меньше (лучше) двух дуговых секунд ППИ на 300 мм перемещения;		
2.2.1.3.	Шлифовальные станки, имеющие любую из следующих характеристик:
а) имеющие все следующие характеристики:
точность позиционирования вдоль любой линейной оси со всеми доступными компенсациями, равную 3 мкм или менее (лучше) в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом; и
три или более оси, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления; или	8460 11 000 0;
8460 19 000 0;
8460 21;
8460 29;
8464 20 950 0;
8465 93 000 0	
	б) пять или более осей, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления		
	Примечание.
По пункту 2.2.1.3 не контролируются следующие шлифовальные станки:		
	а) круглошлифовальные, внутришлифовальные и универсальные шлифовальные станки, обладающие всеми следующими характеристиками:		
	предназначенные лишь для круглого шлифования; и		
	с максимально возможной длиной или наружным диаметром обрабатываемой детали 150 мм;		
	б) станки, специально разработанные как координатно-шлифовальные, не имеющие Z-оси или W-оси, с точностью позиционирования со всеми доступными компенсациями меньше (лучше) 3 мкм в соответствии с международным стандартом ISO 230/2 (1997) или его национальным эквивалентом;		
	в) плоскошлифовальные станки;		
2.2.1.4.	Станки для электроискровой обработки (СЭО) беспроволочного типа, имеющие две или более оси вращения, которые могут быть совместно скоординированы для контурного управления;	8456 30	
2.2.1.5.	Станки для обработки металлов, керамики или композиционных материалов, имеющие все следующие характеристики:
а) обработка материалов осуществляется любым из следующих способов:	8424 30 900 0;
8456 10;
8456 99 800 0	
	струями воды или других жидкостей, в том числе с абразивными присадками;		
	электронным лучом; или
лазерным лучом; и		
	б) имеющие две или более оси вращения, которые:		
	могут быть совместно скоординированы для контурного управления; и		
	имеют точность позиционирования менее (лучше) 0,0030;		
2.2.1.6.	Сверлильные станки для сверления глубоких отверстий или токарные станки, модифицированные для сверления глубоких отверстий, обеспечивающие максимальную глубину сверления отверстий более 5000 мм и специально разработанные для них компоненты	8458;
8459 21 000 0;
8459 29 000 0	
2.2.2.	Станки с числовым программным управлением, использующие процесс магнитореологической чистовой обработки (МРЧО)
Техническое примечание.
Для целей пункта 2.2.2 под МРЧО понимается процесс съема материала, использующий абразивную магнитную жидкость, вязкость которой регулируется магнитным полем	8464 20 110 0;
8464 20 190 0;
8464 20 950 0;
8465 93 000 0	
2.2.3.	Станки с числовым программным управлением или станки с ручным управлением и специально предназначенные для них компоненты, оборудование для контроля и приспособления, специально разработанные для шевингования, финишной обработки, шлифования или хонингования закаленных (Rc = 40 или более) прямозубых цилиндрических, косозубых и шевронных шестерен диаметром делительной окружности более 1250 мм и шириной зубчатого венца, равной 15 % от диаметра делительной окружности или более, с качеством после финишной обработки по классу 3 в соответствии с международным стандартом ISO 1328	8461 40 710 0;
8461 40 790 0	
2.2.4.	Горячие изостатические прессы, имеющие все нижеперечисленное, и специально разработанные для них компоненты и приспособления:	8462 99	
	а) камеры с регулируемыми температурами внутри рабочей полости и внутренним диаметром полости камеры 406 мм и более; и		
	б) любую из следующих характеристик:		
	максимальное рабочее давление выше 207 МПа;		
	регулируемые температуры выше 1773 К (15000 С); или		
	оборудование для насыщения углеводородом и удаления газообразных продуктов разложения		
	Техническое примечание.		
	Внутренний размер камеры относится к полости, в которой достигаются рабочие давление и температура, при этом исключаются установочные приспособления. Указанный выше размер будет наименьшим из двух размеров - внутреннего диаметра камеры высокого давления или внутреннего диаметра изолированной высокотемпературной камеры - в зависимости от того, какая из этих камер находится в другой		
2.2.5.	Оборудование, специально разработанное для осаждения, обработки и активного управления процессом нанесения неорганических покрытий, слоев и модификации поверхности (за исключением формирования подложек для электронных схем) с использованием процессов, указанных в таблице к пункту 2.5.3.6 и отмеченных в примечаниях к ней, а также специально разработанные для него автоматизированные компоненты установки, позиционирования, манипулирования и регулирования:		
2.2.5.1.	Производственное оборудование для химического осаждения из паровой фазы (CVD), имеющее все нижеследующее:	8419 89 989 0	
	а) процесс, модифицированный для реализации одного из следующих методов:		
	CVD с пульсирующим режимом;		
	термического осаждения с управляемым образованием центров кристаллизации (CNTD); или		
	CVD с применением плазменного разряда, модифицирующего процесс; и		
	б) включающее любое из                следующего:		
	высоковакуумные (вакуум, равный 0,01 Па или ниже (лучше) вращающиеся уплотнения; или		
	средства регулирования толщины покрытия в процессе осаждения;		
2.2.5.2.	Производственное оборудование ионной имплантации с током пучка 5 мА или более;	8543 19 000 0	
2.2.5.3.	Технологическое оборудование для физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом электронным пучком (EB-PVD), включающее силовые системы с расчетной мощностью более 80 кВт и имеющее любую из следующих составляющих:	8543 89 950 0	
	а) лазерную систему управления уровнем жидкой ванны, которая точно регулирует скорость подачи заготовок; или		
	б) управляемое компьютером контрольно-измерительное устройство, работающее на принципе фотолюминесценции ионизированных атомов в потоке пара, необходимое для управления скоростью осаждения покрытия, содержащего два или более элемента;		
2.2.5.4.	Производственное оборудование плазменного напыления, обладающее любой из следующих характеристик:	8419 89 300 0;
8419 89 98	
	а) работающее при пониженном давлении контролируемой атмосферы (равном или ниже 10 кПа, измеряемом на расстоянии до 300 мм над выходным сечением сопла плазменной горелки) в вакуумной камере, которая перед началом процесса напыления может быть откачана до 0,01 Па; или		
	б) включающее средства регулирования толщины покрытия в процессе напыления;		
2.2.5.5.	Производственное оборудование осаждения распылением, обеспечивающее плотность тока 0,1 мА/кв.мм или более, со скоростью осаждения 15 мкм/ч или более;	8419 89 300 0;
8419 89 98	
2.2.5.6.	Производственное оборудование катодно-дугового напыления, включающее систему электромагнитов для управления положением активного пятна дуги на катоде;	8543 89 950 0	
2.2.5.7.	Производственное оборудование ионного осаждения, позволяющее осуществлять в процессе:	8543 89 950 0	
	а) измерение толщины покрытия на подложке и управление скоростью осаждения; или		
	б) измерение оптических характеристик		
	Примечание.
По пунктам 2.2.5.1, 2.2.5.2, 2.2.5.5 ‑ 2.2.5.7 не контролируется оборудование химического осаждения из паровой фазы (CVD), катодно-дугового напыления, осаждения распылением, ионного осаждения или ионной имплантации, специально разработанное для покрытия режущего или обрабатывающего инструмента		
2.2.6.	Системы и оборудование для измерения или контроля размеров:		
2.2.6.1.	Координатно-измерительные машины (КИМ) с компьютерным управлением или числовым программным управлением, имеющие максимально допустимую погрешность показания (МДПП) по любому направлению в трехмерном пространстве в любой точке в пределах рабочего диапазона машины (то есть в пределах длины осей), равную или меньше (лучше) (1,7 + L/1000) мкм (L - измеряемая длина в миллиметрах), определенную в соответствии с международным стандартом ISO 10360-2 (2001);	9031 80 320 0;
9031 80 340 0	
2.2.6.2.	Приборы для измерения линейных или угловых перемещений:		
2.2.6.2.1.	Приборы для измерения линейных перемещений, имеющие любую из следующих составляющих:
а) измерительные системы бесконтактного типа с разрешением, равным или меньше (лучше) 0,2 мкм, при диапазоне измерений до 0,2 мм;	9031 49 000 0;
9031 80 320 0;
9031 80 340 0;
9031 80 910 0	
	б) системы с индуктивными дифференциальными датчиками, имеющие все следующие характеристики:		
	линейность, равную или меньше (лучше) 0,1 %, в диапазоне измерений до 5 мм; и		
	дрейф, равный или меньше (лучше) 0,1 % в день, при стандартной комнатной температуре 1 К; или		
	в) измерительные системы, имеющие все следующие составляющие:		
	содержащие лазер; и		
	сохраняющие в течение по крайней мере 12 часов при колебаниях окружающей температуры 1 К относительно стандартной температуры и нормальном атмосферном давлении все следующие характеристики:		
	разрешение на полной шкале 0,1 мкм или меньше (лучше); и		
	погрешность измерения, равную или меньше (лучше) (0,2 + L/2000) мкм   (L - измеряемая длина в        миллиметрах)		
	Примечание.
По пункту 2.2.6.2.1 не контролируются измерительные интерферометрические системы без обратной связи с замкнутым или открытым контуром, содержащие лазер для измерения погрешностей перемещения подвижных частей станков, приборов для измерения размеров или другого подобного оборудования		
	Техническое примечание.
Для целей пункта 2.2.6.2.1 линейное перемещение означает изменение расстояния между измеряющим элементом и контролируемым объектом;		
2.2.6.2.2.	Приборы для измерения угловых перемещений с погрешностью измерения по угловой координате, равной или меньше (лучше) 0,000250	9031 49 000 0;
9031 80 320 0;
9031 80 340 0;
9031 80 910 0	
	Примечание.
По пункту 2.2.6.2.2 не контролируются оптические приборы, такие, как автоколлиматоры, использующие коллимированный свет  (например, лазерное излучение) для фиксации углового смещения зеркала;		
2.2.6.3.	Оборудование для измерения чистоты поверхности с применением оптического рассеяния как функции угла с чувствительностью 0,5 нм или менее (лучше)	9031 49 000 0	
	Примечание.
Станки, которые могут быть использованы в качестве средств измерения, подлежат контролю, если их параметры соответствуют или превосходят критерии, установленные для параметров станков или измерительных приборов		
2.2.7.	Роботы, имеющие любую из нижеперечисленных характеристик, и  специально разработанные для них устройства управления и рабочие органы:
а) способность в реальном масштабе времени осуществлять полную трехмерную обработку изображений или полный трехмерный анализ сцены с генерированием или модификацией программ либо с генерированием или модификацией данных для числового программного управления	8479 50 000 0;
8537 10 100 0;
8537 10 910 0;
8537 10 990 0	
	Техническое примечание.
Ограничения по анализу сцены не включают аппроксимацию третьего измерения по результатам наблюдения под заданным углом или ограниченную черно-белую интерпретацию восприятия глубины или текстуры для утвержденных заданий (2 1/2 D);		
	б) специально разработанные в соответствии с национальными стандартами безопасности применительно к условиям работы со  взрывчатыми веществами военного назначения;		
	в) специально разработанные или оцениваемые как радиационно стойкие, выдерживающие более 
5 х 103 Гр (Si) [5 х 105 рад] без ухудшения эксплуатационных характеристик; или		
	г) специально разработанные для работы на высотах, превышающих 30 000 м		
2.2.8.	Узлы или блоки, специально разработанные для станков, или системы для контроля или измерения размеров:		
2.2.8.1.	Линейные измерительные элементы обратной связи (например, устройства индуктивного типа, калиброванные шкалы, инфракрасные системы или лазерные системы), имеющие полную точность менее (лучше) [800 + (600 х L х 103) нм (L ‑ эффективная длина в миллиметрах)	9031	
	Особое примечание.
Для лазерных систем применяется также примечание к пункту 2.2.6.2.1;		
2.2.8.2.	Угловые измерительные элементы обратной связи (например, устройства индуктивного типа, калиброванные шкалы, инфракрасные системы или лазерные системы), имеющие точность менее (лучше) 0,000250	9031	
	Особое примечание.
Для лазерных систем применяется также примечание к пункту 2.2.6.2.1;		
2.2.8.3.	Составные поворотные столы или качающиеся шпиндели, применение которых в соответствии с техническими характеристиками изготовителя может модифицировать станки до уровня, указанного в пункте 2.2, или выше	8466	
2.2.9.	Обкатные вальцовочные и гибочные станки, которые в соответствии с технической документацией производителя могут быть оборудованы блоками числового программного управления или компьютерным управлением и которые имеют все следующие характеристики:	8462 21 100 0;
8462 21 800 0;
8463 90 000 0	
	а) две или более контролируемые оси, по крайней мере две из которых могут быть одновременно скоординированы для контурного управления; и		
	б) усилие на ролике более 60 кН		
	Техническое примечание.
Станки, объединяющие функции обкатных вальцовочных и гибочных станков, рассматриваются для целей пункта 2.2.9 как относящиеся к гибочным станкам		
2.3.	Материалы - нет		
2.4.	Программное обеспечение		
2.4.1.	Программное обеспечение иное, чем контролируемое по пункту 2.4.2, специально разработанное или модифицированное для разработки, производства или применения оборудования, контролируемого по пункту 2.1 или 2.2;		
2.4.2.	Программное обеспечение для электронных устройств, в том числе встроенное в электронное устройство или систему, дающее возможность таким устройствам или системам функционировать как блок ЧПУ, способный координировать одновременно более четырех осей для контурного управления		
	Примечания:
1. По пункту 2.4.2 не контролируется программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для работы станков, не контролируемых по пунктам категории 2		
	2. По пункту 2.4.2 не контролируется программное обеспечение для изделий, контролируемых по пункту 2.2.2. В отношении контроля за программным обеспечением для изделий, контролируемых по пункту 2.2.2, см. пункт 2.4.1		
	Особое примечание.
В отношении программного обеспечения, указанного в пункте 2.4.1, см. также пункт 2.4.1 раздела 2		
2.5.	Технология		
2.5.1.	Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для разработки оборудования или программного обеспечения, контролируемых по пункту 2.1, 2.2 или 2.4		
2.5.2.	Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием для производства оборудования, контролируемого по пункту 2.1 или 2.2		
	Особое примечание.
В отношении технологий, указанных в пунктах 2.5.1 и 2.5.2, см. также пункт 2.5.1 раздела 2		
2.5.3.	Иные нижеследующие технологии:		
2.5.3.1.	Технологии для разработки интерактивной графики как встроенной части блока числового программного управления для подготовки или модификации программ обработки деталей;		
2.5.3.2.	Технологии для производственных процессов металлообработки:		
2.5.3.2.1.	Технологии для проектирования инструмента, пресс-форм или зажимных приспособлений, специально разработанные для любого из следующих процессов:		
	а) формообразования в условиях сверхпластичности;
б) диффузионной сварки; или
в) гидравлического прессования прямого действия;		
2.5.3.2.2.	Технические данные, включающие описание технологического процесса или его параметры:		
	а) для формообразования в условиях сверхпластичности изделий из алюминиевых, титановых сплавов или суперсплавов:		
	подготовка поверхности;
скорость деформации;
температура;
давление;		
	б) для диффузионной сварки титановых сплавов или суперсплавов:		
	подготовка поверхности;
температура;
давление;		
	в) для гидравлического прессования прямого действия алюминиевых или титановых сплавов:		
	давление;
время цикла;		
	г) для горячего изостатического уплотнения титановых, алюминиевых сплавов или суперсплавов:		
	температура;
давление;
время цикла;		
2.5.3.3.	Технологии для разработки или производства гидравлических прессов для штамповки с вытяжкой и соответствующих матриц для изготовления конструкций корпусов летательных аппаратов;		
2.5.3.4.	Технологии для разработки генераторов машинных команд для управления станком (например, программ обработки деталей) на основе проектных данных, хранимых в блоках числового программного управления;		
2.5.3.5.	Технологии для разработки комплексного программного обеспечения для включения экспертных систем, повышающих в заводских условиях операционные возможности блоков числового программного управления;		
2.5.3.6.	Технологии для осаждения, обработки и активного управления процессом нанесения внешних слоев неорганических покрытий, иных покрытий и модификации поверхности (за исключением формирования подложек для электронных схем) с использованием процессов, указанных в таблице к настоящему пункту и примечаниях к ней		
	Особое примечание.
Нижеследующая таблица определяет, что технология конкретного процесса нанесения покрытия подлежит экспортному контролю только при указанных в ней сочетаниях позиций в колонках "Получаемое покрытие" и "Подложки". Например, подлежат контролю технические характеристики процесса нанесения силицидного покрытия методом химического осаждения из паровой фазы (CVD) на подложки из углерод-углерода и композиционных материалов с керамической или металлической матрицей. Однако, если подложка выполнена из металлокерамического карбида вольфрама (16) или карбида кремния (18), контроль не требуется, так как во втором случае получаемое покрытие не указано в соответствующей колонке для этих подложек (металлокерамический карбид вольфрама и карбид кремния)		

Таблица к пункту 2.5.3.6
Технические приемы нанесения покрытий

Процесс нанесения покрытия (1)	Подложки	Получаемое
покрытие	
			
1. Химическое осаждение из паровой фазы (CVD)	суперсплавы	алюминиды на поверхности внутренних каналов	
	керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14)	силициды,
карбиды, диэлектрические слои (15), 
алмаз, 
алмазоподобный углерод (17)	
	углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей	силициды,
карбиды, 
тугоплавкие металлы, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15),
алюминиды,
сплавы на основе алюминидов (2),
нитрид бора 	
	металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18)	карбиды,
вольфрам,
смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15)	

Процесс нанесения покрытия (1)	Подложки	Получаемое
покрытие	
			
	молибден и его сплавы	диэлектрические слои (15)	
	бериллий и его сплавы	диэлектрические слои (15),
алмаз,
алмазоподобный углерод (17)	
	материалы окон датчиков (9)	диэлектрические слои (15), 
алмаз,
алмазоподобный углерод (17)	
2. Физическое осаждение из паровой фазы, получаемой нагревом			
2.1. Физическое осаждение из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком 	суперсплавы	сплавы на основе силицидов,
сплавы на основе алюминидов (2), MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), силициды,
алюминиды,
смеси перечисленных выше материалов (4)	
	керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14)	диэлектрические слои (15)	
	коррозионно-стойкие стали (7)	MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4)	
	углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей	силициды,
карбиды,
тугоплавкие металлы, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15),
нитрид бора	
	металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18)	карбиды,
вольфрам,
смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15)	
	молибден и его сплавы	диэлектрические слои (15)	
	бериллий и его сплавы	диэлектрические слои (15),
бориды,
бериллий	
	материалы окон датчиков (9)	диэлектрические слои (15)	
	титановые сплавы (13)	бориды,
нитриды	
2.2.  Ионно-ассистированное физическое осаждение из 	керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14)	диэлектрические слои (15), 
алмазоподобный углерод	
паровой фазы, полученной резистивным нагревом (ионное осаждение)	углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей	диэлектрические слои (15)	
	металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18)	диэлектрические слои (15)	
	молибден и его сплавы	диэлектрические слои (15)	
	бериллий и его сплавы	диэлектрические слои (15)	
	материалы окон датчиков (9)	диэлектрические слои (15), 
алмазоподобный углерод (17)	
2.3. Физическое осаждение из паровой фазы, полученной лазерным нагревом	керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14)	силициды, диэлектрические слои (15),
алмазоподобный углерод (17)	
	углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей	диэлектрические слои (15)	
	металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18)	диэлектрические слои (15)	
	молибден и его сплавы	диэлектрические слои (15)	
	бериллий и его сплавы	диэлектрические слои (15)	
	материалы окон датчиков (9)	диэлектрические слои (15),
алмазоподобный углерод (17)	
2.4. Физическое осаждение из паровой фазы, полученной катодно-	суперсплавы	сплавы на основе силицидов,
сплавы на основе алюминидов (2), MCrAlX (5)	
дуговым разрядом
	
полимеры (11) и композиционные материалы с органической матрицей	
бориды,
карбиды,
нитриды,
алмазоподобный углерод (17)	
3. Твердофазное диффузионное насыщение (10)	углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей 	силициды,
карбиды,
смеси перечисленных выше материалов (4)	
	титановые сплавы (13)	силициды,
алюминиды,
сплавы на основе алюминидов (2)	
	тугоплавкие металлы и сплавы (8)	силициды, 
оксиды	
4. Плазменное напыление	суперсплавы	MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4), истираемый никель-графитовый материал, истираемый никель-хром-алюминиевый сплав,
истираемый алюминиево-кремниевый сплав, содержащий полиэфир, сплавы на основе алюминидов (2)	
	алюминиевые сплавы (6)	MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), силициды,
смеси перечисленных выше материалов (4)	
	тугоплавкие металлы и сплавы (8)	алюминиды,
силициды,
карбиды	
	коррозионно-стойкие стали (7)	MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), смеси перечисленных выше материалов (4)	
	титановые сплавы (13)	карбиды,
алюминиды,
силициды,
сплавы на основе алюминидов (2), истираемый никель-графитовый материал, истираемый никель-хром-алюминиевый сплав,
истираемый алюминиево-кремниевый сплав, содержащий полиэфир	
5. Нанесение шликера	тугоплавкие металлы и сплавы (8)	оплавленные силициды, оплавленные алюминиды (кроме резистивных нагревательных элементов)	
	углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей	силициды, 
карбиды, 
смеси перечисленных выше материалов (4)	
6. Осаждение распылением	суперсплавы	сплавы на основе силицидов,
сплавы на основе алюминидов (2), алюминиды, модифицированные благородным металлом (3),
MCrAlX (5), модифицированный диоксид циркония (12), платина,
смеси перечисленных выше материалов (4)	
	керамика (19) и стекла с малым коэффициентом линейного расширения (14)	силициды,
платина,
смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15),
алмазоподобный углерод (17)	
	титановые сплавы (13)	бориды,
нитриды,
оксиды,
силициды,
алюминиды, 
сплавы на основе
алюминидов (2),
карбиды	
	углерод-углерод, композиционные материалы с керамической или металлической матрицей	силициды,
карбиды,
тугоплавкие металлы, смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15),
нитрид бора	
	металлокерамический карбид вольфрама (16), карбид кремния (18)	карбиды,
вольфрам,
смеси перечисленных выше материалов (4), диэлектрические слои (15),
нитрид бора	
	молибден и его сплавы	диэлектрические слои (15)	
	бериллий и его сплавы	бориды,
диэлектрические слои (15),
бериллий	
	материалы окон датчиков (9)	диэлектрические слои (15), 
алмазоподобный углерод (17)	
	тугоплавкие металлы и сплавы (8)	алюминиды,
силициды,
оксиды,
карбиды	
7. Ионная имплантация	высокотемпературные подшипниковые стали	присадки хрома, тантала или ниобия	
	титановые сплавы (13)	бориды,
нитриды	
	бериллий и его сплавы	бориды	
	металлокерамический карбид вольфрама (16)	карбиды,
нитриды	

Примечания к таблице:
1. Термин "процесс нанесения покрытия" включает как нанесение первоначального покрытия, так и ремонт, а также обновление существующих покрытий
2. Покрытие сплавами на основе алюминида включает одно- или многоступенчатое нанесение покрытия, в котором элемент или элементы осаждаются до или в процессе нанесения алюминидного покрытия, даже если эти элементы наносятся с применением других процессов. Это, однако, не включает многократное использование одношагового процесса твердофазного диффузионного насыщения для получения легированных алюминидов
3. Покрытие алюминидом, модифицированным благородным металлом, включает многошаговое нанесение покрытия, в котором слои благородного металла или благородных металлов наносятся каким-либо другим процессом до нанесения алюминидного                      покрытия
4. Термин "смеси" означает материалы, полученные пропиткой, материалы с изменяющимся по объему химическим составом, материалы, полученные совместным осаждением, в том числе слоистые; при этом смеси получаются в одном или нескольких процессах нанесения покрытий, описанных в таблице
5. MCrAlX соответствует сплаву покрытия, где М обозначает кобальт, железо, никель или их комбинацию, Х - гафний, иттрий, кремний, тантал в любом количестве или другие специально внесенные добавки с их содержанием более 0,01 % (по весу) в различных пропорциях и комбинациях, кроме:
а) CoCrAlY-покрытий, содержащих менее 22 % (по весу) хрома, менее 7 % (по весу) алюминия и менее 2 % (по весу) иттрия;
б) CoCrAlY-покрытий, содержащих 22 - 24 % (по весу) хрома, 10 - 12 % (по весу) алюминия и 0,5 - 0,7 % (по весу) иттрия;
в) NiCrAlY-покрытий, содержащих 21 - 23 % (по весу) хрома,  10 - 12 % (по весу) алюминия и 0,9 - 1,1 % (по весу) иттрия
6. Термин "алюминиевые сплавы" относится к сплавам с прочностью при растяжении 190 МПа или выше при температуре 293 К (200 С)
7. Термин "коррозионно-стойкая сталь" означает сталь из серии AISI-300 (AISI - American Iron and Steel Institute - Американский институт железа и стали) или сталь соответствующего национального стандарта
8. Тугоплавкие металлы и сплавы включают следующие металлы и их сплавы: ниобий, молибден, вольфрам и тантал
9. Материалами окон датчиков являются: оксид алюминия (поликристаллический), кремний, германий, сульфид цинка, селенид цинка, арсенид галлия, алмаз, фосфид галлия, сапфир, а для окон датчиков диаметром более 40 мм - фтористый цирконий и фтористый гафний
10. Технология одношагового процесса твердофазного диффузионного насыщения сплошных аэродинамических поверхностей не контролируется по категории 2
11. Полимеры включают полиимиды, полиэфиры, полисульфиды, поликарбонаты и полиуретаны
12. Термин "модифицированный оксид циркония" означает оксид циркония с добавками оксидов других металлов (таких, как оксиды кальция, магния, иттрия, гафния, редкоземельных металлов) в целях стабилизации определенных кристаллографических фаз и фазовых составов. Покрытия - температурные барьеры из оксида циркония, модифицированные оксидом кальция или магния методом смешения или сплавления, не контролируются
13. Титановые сплавы - только сплавы для аэрокосмического применения с прочностью на растяжение 900 МПа или выше при температуре 293 К (200 С)
14. Стекла с малым коэффициентом линейного расширения включают стекла, имеющие измеренный при температуре 293 К (200 С) коэффициент линейного расширения 10–7 K–1 или менее
15. Диэлектрический слой - покрытие, состоящее из нескольких диэлектрических материалов-слоев, в котором интерференционные свойства структуры, составленной из материалов с различными показателями отражения, используются для отражения, пропускания или поглощения в различных диапазонах длин волн.     Диэлектрический слой - понятие, относящееся к структурам, состоящим из более чем четырех слоев диэлектрика или композиционных слоев диэлектрик-металл
16. Металлокерамический карбид вольфрама не включает следующие твердые сплавы, применяемые для режущего          инструмента и инструмента для обработки металлов давлением: карбид вольфрама - (кобальт, никель), карбид титана - (кобальт, никель), карбид хрома - (никель, хром) и карбид хрома - никель
17. Не контролируются технологии, специально разработанные для нанесения алмазоподобного углерода на любые из следующих изделий, произведенных из сплавов, содержащих менее 5% бериллия:  дисководы (накопители на магнитных дисках) и головки, оборудование для производства расходных материалов, клапаны для вентилей, диффузоры громкоговорителей, детали автомобильных двигателей, режущие инструменты, вырубные штампы и пресс-         формы для штамповки, оргтехника, микрофоны , медицинские приборы или формы для литья или формования пластмассы
18. Карбид кремния не включает материалы, применяемые для режущего инструмента и инструмента для обработки металлов давлением
19. "Керамические подложки" в том смысле, в котором этот термин применяется в настоящем пункте, не включают в себя керамические материалы, содержащие 5 % (по весу) или более связующих как отдельных компонентов, а также в сочетании с другими компонентами
Технические примечания к таблице:
Процессы, указанные в колонке "Процесс нанесения покрытия", определяются следующим образом:
1. Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) - это процесс нанесения внешнего покрытия или покрытия с модификацией поверхности подложки, когда металл, сплав, композиционный материал, диэлектрик или керамика осаждается на нагретую подложку. Газообразные реагенты разлагаются или соединяются вблизи подложки или на самой подложке, в результате чего на ней осаждается требуемый материал в форме химического элемента, сплава или соединения. Энергия для указанных химических реакций может быть обеспечена теплом подложки, плазмой тлеющего разряда или лучом лазера
Особые примечания:
а) CVD включает следующие процессы: осаждение в направленном газовом потоке без непосредственного контакта засыпки с подложкой, CVD с пульсирующим режимом, термическое осаждение с управляемым образованием центров кристаллизации (CNTD), CVD с применением плазменного разряда, ускоряющего процесс;
б) засыпка означает погружение подложки в порошковую          смесь;
в) газообразные реагенты, используемые в процессе без непосредственного контакта засыпки с подложкой, производятся с применением тех же основных реакций и параметров, что и при твердофазном диффузионном насыщении
2. Физическое осаждение из паровой фазы, получаемой нагревом, - это процесс нанесения внешнего покрытия в вакууме при давлении ниже 0,1 Па с использованием какого-либо источника тепловой энергии для испарения материала покрытия. Процесс приводит к конденсации или осаждению пара на соответствующим образом установленную подложку.
Обычной модификацией процесса является напуск газа в вакуумную камеру в целях синтеза химического соединения в покрытии.
Использование ионного или электронного пучка либо плазмы для активизации нанесения покрытия или участия в этом процессе является также обычной модификацией этого метода. Применение контрольно-измерительных устройств для измерения в технологическом процессе оптических характеристик и толщины покрытия может быть особенностью этих процессов. Особенности конкретных процессов физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом, состоят в следующем:
а) физическое осаждение из паровой фазы, полученной               нагревом электронным пучком, использует пучок электронов для нагревания и испарения материала, образующего покрытие;
б) ионно-ассистированное физическое осаждение из паровой фазы, полученной резистивным нагревом, использует резистивные нагреватели в сочетании с падающим ионным пучком (пучками) в целях получения контролируемого и однородного потока пара материала покрытия;
в) при испарении лазером используется импульсный или непрерывный лазерный луч;
г) в процессе катодного дугового напыления используется расходный катод, из материала которого образуется покрытие и имеется дуговой разряд, который инициируется на поверхности катода после кратковременного контакта с пусковым устройством. Контролируемое движение дуги приводит к эрозии поверхности катода и образованию высокоионизованной плазмы. Анод может быть коническим и располагаться по периферии катода через изолятор, или сама камера может играть роль анода. Для реализации процесса нанесения покрытия вне прямой видимости подается электрическое смещение на подложку
Особое примечание.
Описанный в подпункте "г" процесс не относится к нанесению покрытий неуправляемой катодной дугой и без подачи электрического смещения на подложку
д) ионное осаждение - специальная модификация процесса физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом, в котором плазменный или ионный источник используется для ионизации материала наносимых покрытий, а отрицательное смещение, приложенное к подложке, способствует экстракции необходимых ионов из плазмы. Введение активных реагентов, испарение твердых материалов в камере, а также использование контрольно-измерительных устройств, обеспечивающих измерение (в процессе нанесения покрытий) оптических характеристик и толщины покрытий, - обычные модификации этого процесса
3. Твердофазное диффузионное насыщение - процесс, модифицирующий поверхностный слой, или процесс нанесения внешнего покрытия, при которых изделие погружено в порошковую смесь (засыпку), состоящую из:
а) порошков металлов, подлежащих нанесению на поверхность изделия (обычно алюминий, хром, кремний или их комбинации);
б) активатора (в большинстве случаев галоидная соль); и
в) инертного порошка, чаще всего оксида алюминия.
Изделие и порошковая смесь находятся в муфеле с температурой от 1030 К (7570С) до 1375 К (11020С) в течение достаточно продолжительного времени для нанесения покрытия
4. Плазменное напыление - процесс нанесения внешнего покрытия, при котором в горелку, образующую и управляющую плазмой, подается порошок или проволока материала покрытия, который при этом плавится и несется на подложку, где формируется покрытие. Плазменное напыление может проводиться либо в режиме низкого давления, либо в режиме высокой скорости
Особые примечания:
а) низкое давление означает давление ниже атмосферного;
б) высокая скорость означает, что скорость потока на срезе сопла горелки, приведенная к температуре 293 К (200С) и давлению 0,1 МПа, превышает 750 м/с
5. Нанесение шликера - процесс, модифицирующий поверхностный слой, или процесс нанесения внешнего покрытия, в которых металлический или керамический порошок с органической связкой, суспендированный в жидкости, наносится на подложку посредством напыления, погружения или окраски с последующими сушкой при комнатной или повышенной температуре и термообработкой для получения необходимого покрытия
6. Осаждение распылением - процесс нанесения внешнего покрытия, основанный на передаче импульса, когда положительные ионы ускоряются в электрическом поле в направлении к поверхности мишени (материала покрытия). Кинетическая энергия падающих на мишень ионов достаточна для выбивания атомов с поверхности мишени, которые затем осаждаются на соответствующим образом установленную подложку
Особые примечания:
а) таблица относится только к триодному, магнетронному или реакционному осаждению распылением, которое используется для увеличения адгезии материала покрытия и скорости осаждения, а также к радиочастотному расширению процесса, что позволяет испарять неметаллические материалы;
б) для активации процесса осаждения могут быть использованы низкоэнергетические ионные пучки (менее 5 КэВ)
7. Ионная имплантация - процесс модификации поверхности, когда легирующий материал ионизируется, ускоряется в электрическом поле и имплантируется в приповерхностный слой подложки. Это определение включает также процессы, в которых ионная имплантация производится одновременно с физическим осаждением из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком, или с осаждением распылением
Некоторые пояснения к таблице.
Следует понимать, что следующая техническая информация, сопровождающая таблицу, должна использоваться при необходимости:
1. Нижеследующие технологии предварительной обработки подложек, указанных в таблице:
1.1. Параметры процесса снятия покрытия химическими методами в соответствующей ванне:
1.1.1. Состав раствора:
1.1.1.1. Для удаления старых или поврежденных покрытий, продуктов коррозии или инородных отложений;
1.1.1.2. Для приготовления новых подложек;
1.1.2. Время обработки;
1.1.3. Температура ванны;
1.1.4. Число и последовательность промывочных циклов;
1.2. Визуальные и макроскопические критерии для определения приемлемости чистоты подложки;
1.3. Параметры цикла термообработки:
1.3.1. Атмосферные параметры:
1.3.1.1. Состав атмосферы;
1.3.1.2. Давление;
1.3.2. Температура термообработки;
1.3.3. Время термообработки;
1.4. Параметры процесса подготовки поверхности подложки:
1.4.1. Параметры пескоструйной обработки:
1.4.1.1. Состав крошки, дроби;
1.4.1.2. Размеры и форма крошки, дроби;
1.4.1.3. Скорость крошки;
1.4.2. Время и последовательность циклов очистки после пескоструйной очистки;
1.4.3. Параметры финишной обработки поверхности;
1.4.4. Применение связующих, способствующих адгезии;
1.5. Параметры маски:
1.5.1. Материал маски;
1.5.2. Расположение маски
2. Нижеследующие технологии контроля качества технологических параметров, используемые для оценки покрытия и процессов, указанных в таблице:
2.1. Параметры атмосферы:
2.1.1. Состав;
2.1.2. Давление;
2.2. Время;
2.3. Температура;
2.4. Толщина;
2.5. Коэффициент преломления;
2.6. Контроль состава покрытия
3. Нижеследующие технологии обработки указанных в таблице подложек с нанесенными покрытиями:
3.1. Параметры упрочняющей дробеструйной обработки:
3.1.1. Состав дроби;
3.1.2. Размер дроби;
3.1.3. Скорость дроби;
3.2. Параметры очистки после дробеструйной обработки;
3.3. Параметры цикла термообработки:
3.3.1. Параметры атмосферы:
3.3.1.1. Состав;
3.3.1.2. Давление;
3.3.2. Температура и время цикла;
3.4. Визуальные и макроскопические критерии возможной приемки подложки с нанесенным покрытием после термообработки
4. Нижеследующие технологии контроля качества подложек с нанесенными покрытиями, указанных в таблице:
4.1. Критерии для статистической выборки;
4.2. Микроскопические критерии для:
4.2.1. Увеличения;
4.2.2. Равномерности толщины покрытия;
4.2.3. Целостности покрытия;
4.2.4. Состава покрытия;
4.2.5. Сцепления покрытия и подложки;
4.2.6. Микроструктурной однородности;
4.3. Критерии оценки оптических свойств (измеренных в зависимости от длины волны):
4.3.1. Коэффициент отражения;
4.3.2. Коэффициент пропускания;
4.3.3. Поглощение;
4.3.4. Рассеяние
5. Нижеследующие технологии и технологические параметры, относящиеся к отдельным процессам покрытия и модификации поверхности, указанным в таблице:
5.1. Для химического осаждения из паровой фазы (CVD):
5.1.1. Состав и химическая формула источника покрытия;
5.1.2. Состав газа-носителя;
5.1.3. Температура подложки;
5.1.4. Температура - время - давление циклов;
5.1.5. Управление потоком газа и подложкой;
5.2. Для физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом:
5.2.1. Состав заготовки или источника материала покрытия;
5.2.2. Температура подложки;
5.2.3. Состав газа-реагента;
5.2.4. Скорость подачи заготовки или скорость испарения материала;
5.2.5. Температура - время - давление циклов;
5.2.6. Управление пучком и подложкой;
5.2.7. Параметры лазера:
5.2.7.1. Длина волны;
5.2.7.2. Плотность мощности;
5.2.7.3. Длительность импульса;
5.2.7.4. Периодичность импульсов;
5.2.7.5. Источник;
5.3. Для твердофазного диффузионного насыщения:
5.3.1. Состав засыпки и химическая формула;
5.3.2. Состав газа-носителя;
5.3.3. Температура - время - давление циклов;
5.4. Для плазменного напыления:
5.4.1. Состав порошка, подготовка и распределение по размеру (гранулометрический состав);
5.4.2. Состав и параметры подаваемого газа;
5.4.3. Температура подложки;
5.4.4. Параметры мощности плазменной горелки;
5.4.5. Дистанция напыления;
5.4.6. Угол напыления;
5.4.7. Состав подаваемого в камеру газа, давление и скорость потока;
5.4.8. Управление плазменной горелкой и подложкой;
5.5. Для осаждения распылением:
5.5.1. Состав мишени и ее изготовление;
5.5.2. Регулировка положения детали и мишени;
5.5.3. Состав газа-реагента;
5.5.4. Напряжение смещения;
5.5.5. Температура - время - давление циклов;
5.5.6. Мощность триода;
5.5.7. Управление деталью (подложкой);
5.6. Для ионной имплантации:
5.6.1. Управление пучком и подложкой;
5.6.2. Элементы конструкции источника ионов;
5.6.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;
5.6.4. Температура - время - давление циклов;
5.7. Для ионного осаждения:
5.7.1. Управление пучком и подложкой;
5.7.2. Элементы конструкции источника ионов;
5.7.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;
5.7.4. Температура - время - давление циклов;
5.7.5. Скорость подачи источника покрытия и скорость испарения материала;
5.7.6. Температура подложки;
5.7.7. Параметры подаваемого на подложку смещения