ОСНОВНЫЕ ПОКАЗАТЕЛИ НИР ОГДН ЗА 2000-2004 г.г. ПО ТЕМЕ:

Разработка лавинных полупроводниковых фотодиодов с поверхностным переносом  заряда

      Номер государственной регистрации:                                         01.2.00 305508
      Срок начала и окончания научно-исследовательской работы: 1998 – 2006 г.г.
Научный руководитель темы:                                                      И.М.Железных

1.	- уровень фундаментальных исследований  

      Результаты исследований, проведенных участниками проекта в последние годы, показали, что созданные ими лавинные фотодиоды по основным параметрам превосходят лучшие зарубежные аналоги лавинных фотодиодов. 
   
              Из важных результатов следует отметить:
      Разработка, готовая к практическому применению (совместная работа ИЯИ    
      РАН  и ОИЯИ, Дубна)
       Разработана и изготовлена действующая линейка фотоприемников на основе лавинных фотодиодов с отрицательной обратной связью, являющаяся прототипом лавинных приборов с зарядовой связью (ПЗС-матриц). Экспериментально осуществлен режим регистрации, хранения и передачи фотосигнала, инициированного единичным фотоном. Создание ПЗС-матриц с внутренним (лавинным) усилением фотосигнала позволит значительно улучшить как качество изображения при слабой освещенности (светимости) объекта, так и скорость обработки (накопления) информации, которые достигнуты современными ПЗС-матрицами. 
              Z.Ya.Sadygov, Yu.V.Musienko, I.M.Zheleznykh et al., “Super-sensitive avalanche    
       silicon photodiodes with surface transfer of charge carrier”, Nucl. Instrum. and 
       Methods in Phys. Res., A 504 (2003) 301-303.
       патент РФ № 2212733 от 20 сентября 2003 г., приоритет от 22.03.2002,     
       патентообладатели: Институт ядерных исследований РАН и Объединенный 
       институт ядерных исследований.

2	- число публикаций
       1 публикация в российском журнале,
       2 публикации в международных журналах,
       1 патент,
       1 публикация в трудах международных конференций.

3   - оснащённость современным научным оборудованием

Оптический стенд на основе спектрометра для испытаний фотоприемников и сцинтилляторов.

       4.  - наличие уникальных установок
5.  - участие в международных научных проектах
       6. - кадровый и возрастной состав
       7. - премии за научные работы
       8. - участие в образовательном процессе

       9. - участие в грантах

1.	Грант РФФИ № 04-02-08193_офи (2004-2005 г.г.),  “Разработка нового поколения детекторов электромагнитных и ядерных излучений на основе сверхчувствительных полупроводниковых лавинных фотодиодов с поверхностным переносом заряда”.
2.	Грант ИНТАС № 04-78-6839, “Сверхбыстрые позиционно-чувствительные детекторы на основе новых лавинных микро-пиксельных фотодиодов…”  

10. - участие в обеспечении безопасности страны
11. - бюджет –базовый и внебюджетный
12. - роль, как “центра кристаллизации”
13. – что ещё особо важного считаете целесообразным сообщить.