Козлова Юлия Павловна Группа Н ПРНД=29,2
Kозлова Юлия Павловна род.29.12.1959, к.ф.м.н., с.н.с. ОЛВЭНА,
ПРНД за 2010-2011 г.г.
Экспериментальная нейтринная астрофизика и физика космических лучей
Публикации:
статьи в реферируемых зарубежных журналах:
A. Y. Polyakov, A. V. Markov, M. P. Duhnovsky, M. V. Mezhennyi, A. A. Donskov, S. S. Malakhov, A. V. Govorkov, Yu. P. Kozlova, V. F. Pavlov, N. B. Smirnov, T. G. Yugova, A. I. Belogorokhov, I. A. Belogorokhov, A. K. Ratnikova, Yu. Yu. Fyodorov, O. Yu. Kudryashov, I. A. Leontyev, V. I. Ratushny, S. J. Pearton. GaN epitaxial films grown by hydride vapor phase epitaxy on polycrystalline chemical vapor deposition diamond substrates using surface nanostructuring with TiN or anodic Al oxide. J. Vac. Sci. Technol. B 28(5), Sep/Oct 2010, 1011-1015.
ПРНД=1.268*30/19=3.8
A. Y. Polyakov, A. V. Markov, M. V. Mezhennyi, A. A. Donskov, S. S. Malakhov, A. V. Govorkov, Yu. P. Kozlova, V. F. Pavlov, N. B. Smirnov, T. G. Yugova, I.-H. Lee, J. Han, Q. Sun, S. J. Pearton. a-plane GaN hydride vapor phase epitaxy on a-plane GaN templates with and without use of TiN intermediate layers. J. Vac. Sci. Technol. B 28(5) Sep/Oct 2010, 1039-1043.
ПРНД=1,271*30/14=3.8
ПРНД=1.268*30/14=3.8
статьи в реферируемых российских журналах:
А.А. Донсков, Л.И.Дьяконов, М.В.Меженный, С.С. Малахов, Ю.П.Козлова, В.Ф.Павлов, Т.Г.Югова. Влияние ориентации подложки сапфира на особенности морфологии поверхности и структурное совершенство толстых слоев GaN, выращенных методом хлоридно-гидридной эпитаксии. Кристаллография. т. 56, №2, 2011, 294-302.
ПРНД=0.644*60/7=5.5
А. И. Белогорохов, А. А. Донсков, Л. И. Дьяконов, Ю. П. Козлова, С. С. Малахов, М. В. Меженный, Т. Г. Югова, Влияние технологических параметров на однородность толщины и морфологию поверхности эпитаксиальных слоев GaN, полученных методом хлоридно–гидридной эпитаксии. Изв. вузов. Материалы электронной техники. № 1, 2011, 30-36.
ПРНД=0.245*60/7= 2.1
статьи в сборниках научных статей:
Ю.П. Козлова, Т.Г. Югова. Разработка технологии получения «квазиподложек» GaN методом хлоридно-гидридной эпитаксии. Сб. статей. «ГИРЕДМЕТ 80», 2011, 139-143.
ПРНД=20/2=10
Доклады:
на российских конференциях
А.А. Донсков, Л.И. Дьяконов, А.В. Говорков, Ю.П.Козлова, С.С. Малахов, А.В. Марков, М.В. Меженный и др. Влияние ориентации подложки сапфира на структурное совершенство эпитаксиальных слоев GaN, полученных методом хлоридно-гидридной эпитаксии. Доклад на 7-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы», 1-3 февраля 2010г., 99-100. (12 авторов)
ПРНД=4/10*1.5=0.6
2. А.А. Донсков, Л.И. Дьяконов, А.В. Говорков, Ю.П.Козлова, и др. Пленки нитрида галлия, выращенные методом хлорид-гидридной эпитаксии на поликристаллическом алмазе с использованием наноструктурированных слоев TiN и анодного окисла алюминия. Доклад на 7-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы», 1-3 февраля 2010г., 147-148 (17 авторов)
ПРНД=4/10*1.5=0.6
3. А.А. Донсков, Л.И. Дьяконов, М.П. Духновский, А.В. Говорков, Ю.П.Козлова, С.С. Малахов, и др. А.В. Марков, М.В. Меженный, В.Ф. Павлов, А.Я. Поляков, В.И.Ратушный, Н.Б. Смирнов, Т.Г. Югова. Свойства отделенных от подложки толстых слоев нитрида галлия, выращенных методом хлорид-гидридной эпитаксии на темплейтах «нитрид галлия-сапфир» с использованием наномаски из TiN. Доклад на 7-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы», 1-3 февраля 2010г., 155-156. (13 авторов)
ПРНД=4/10*1.5=0.6
4. Л.Н. Кузюкова, Т.Г. Югова, М.В. Меженный, С.С. Малахов, Ю.П. Козлова и др. Свойства эпитаксиальных слоев GaN, полученных с использованием различных буферных слоев. Доклад на XIV Национальной конференции по росту кристаллов. Москва, 6-10 декабря 2010г. (9 авторов)
ПРНД=4/9=0.4
5. А.И.Белогорохов, А.А.Донсков, Л.И.Дьяконов, Ю.П.Козлова, С.С.Малахов, М.В.Меженный, Т.Г.Югова. ВЛИЯНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ НА ОДНОРОДНОСТЬ ТОЛЩИНЫ И МОРФОЛОГИЮ ПОВЕРХНОСТИ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ GaN, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ХЛОРИДНО-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ. Тезисы докладов 8-й Всероссийской конференции «НИТРИДЫ ГАЛЛИЯ, ИНДИЯ, АЛЮМИНИЯ – СТРУКТУРЫ И ПРИБОРЫ», 26-28 мая 2011, Санкт-Петербург, 67-68.
ПРНД=4/7*1.5=0.9
6. А.А. Донсков, Ю.П.Козлова, Л.Н. Кузюкова , С.С. Малахов, М.В. Меженный, В.Ф.Павлов, Т.Г. Югова. ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРНОГО СОВЕРШЕНСТВА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ GaN, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ХЛОРИДНО-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОГО БУФЕРНОГО СЛОЯ. Тезисы докладов 8-й Всероссийской конференции «НИТРИДЫ ГАЛЛИЯ, ИНДИЯ, АЛЮМИНИЯ – СТРУКТУРЫ И ПРИБОРЫ», 26-28 мая 2011, Санкт-Петербург, 218-219.
ПРНД=4/7*1.5=0.9
ИТОГО ПРНД=29.2